Łączenie podłoży – Wafer Bonding

Oferujemy łączenie podłoży wytworzonych z różnych materiałów, w tym z materiałów półprzewodnikowych (krzemu i in.) i dielektryków (szkło, ceramika i in.), do zastosowania w mikroelektronice, nanoelektronice, fotonice oraz w mikrosystemach. Przystosowane do pracy z podłożami okrągłymi 100 mm do 200 mm (4”-8”) oraz fragmentami nie mniejszymi niż 10 mm x 10 mm (0,28’’ x 0,28’’). Możliwość łączenia (Bonding) próbek następującymi technikami:

• adhezyjną (klej),
• eutektyczną (termokompesyjną),
• anodową,
• przy użyciu szkliwa (Glass Frit),
• bezpośrednią (Direct Bonding).

Parametry prowadzenia procesu:

• komora płukana gazem obojętnym,
• zakres kontroli temperatury od 50°C do 500°C z dokładnością ±3°C, stabilnością ±1,0°C i jednorodnością na poziomie ±2%,
• siła nacisku do 20 kN, z programową regulacją,
• maksymalna próżnia 5 ⋅ 10-5 mbar (sterowanie ciśnieniem w komorze procesowej poprzez dozowanie gazu procesowego – N2, w zakresie od 1 do 1 000 mbar),
• możliwość centrowania podłoży z wykorzystaniem urządzenia do centrowania wzorów/masek.

Słowa kluczowe: Bonding, Wafer Bonding, łączenie podłoży, łączenie adhezyjne, termokompresja, łączenie anodowe, Direct Bonding, Glass Frit

kontakt: uslugi.cezamat@pw.edu.pl