Biografia
Absolwent Wydziału Elektroniki i Technik Informacyjnych PW. We styczniu 2013 r. uzyskał z wynikiem celującym dyplom magistra inżyniera (Połączenia typu flip-chip w montażu diod SiC pracujących w temperaturach do 350 °C) pod kierownictwem prof. nzw. dr hab. inż. Ryszarda Kisiela. Związany z projektem CEZAMAT od 2013 roku, początkowo w zakresie wyposażania i uruchamiania laboratoriów i aparatury badawczej. W 2013 roku odbył 6-miesięczny staż w ośrodku badawczym IMEC w Belgii, gdzie zajmował się przygotowanie podłoży SiGe do procesów epitaksji oraz ujawnienie defektów metodami trawienia chemicznego w ultra cienkich warstwach Ge. Jego obszar zainteresowań naukowych obejmuje techniki packagingu, elektroniki przyrządów półprzewodnikowych z szeroką przerwą zabronioną na potrzeby zastosowań wysokotemperaturowych.
Obszar badań
- Packaging w elektronice i fotonice
- Procesy implantacji jonów
- Elektronika wysokotemperaturowa i dużych moc
Wybrane publikacje
- Myśliwiec Marcin, Kisiel Ryszard, Kruszewski Michał: Influence of Ag particle shape on mechanical and thermal properties of TIM joints, Microelectronics International, 2022, DOI:10.1108/mi-06-2022-0108
- Górecki Paweł, Myśliwiec Marcin, Górecki Krzysztof, Kisiel Ryszard: Influence of packaging processes and temperature on characteristics of Schottky diodes made of SiC, IEEE Transactions on Components Packaging and Manufacturing Technology, vol. 9, nr 4, 2019, s. 633-641, DOI:10.1109/TCPMT.2019.2894970
- Górecki Paweł, Górecki Krzysztof, Kisiel Ryszard, Myśliwiec Marcin: Thermal Parameters of Monocrystalline GaN Schottky Diodes, IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 66, nr 5, 2019, s. 2132-2138, DOI:10.1109/TED.2019.2907066
- Górecki Krzysztof, Bisewski Damian, Zarębski Janusz, Kisiel Ryszard, Myśliwiec Marcin: Investigations of mutual thermal coupling between SiC Schottky diodes situated in the common case, Circuit World, vol. 43, nr 1, 2017, s. 38-42, DOI:10.1108/CW-10-2016-0046
- Myśliwiec Marcin, Kisiel Ryszard: Thermal and mechanical properties of sintered Ag layers for power module assembly, Microelectronics International, vol. 32, nr 1, 2015, s. 37-42, DOI:10.1108/MI-10-2013-0050