Menu
dr inż. Piotr Wiśniewski

dr inż. Piotr Wiśniewski

Adiunkt badawczy / Kierownik działu SEMINSYS

Biografia

Absolwent Wydziału Elektroniki i Technik Informacyjnych PW (mgr inż. 2014). W listopadzie 2020 r. obronił z wyróżnieniem pracę doktorską na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej pt. „Modelowanie charakterystyk prądowo-napięciowych tranzystora tunelowego TFET”. Związany z projektem CEZAMAT od 2013 roku, początkowo w zakresie wyposażania i uruchamiania laboratoriów i aparatury badawczej. W 2013 roku odbył 6-miesięczny staż w ośrodku badawczym IMEC w Belgii, gdzie zajmował się opracowaywaniem procesów plazmowych do wytwarzania zaawansowanych układów CMOS. Jego obszar zainteresowań naukowych obejmuje fizykę, modelowanie i technologię przyrządów półprzewodnikowych na potrzeby mikro-/nano-elektroniki, w szczególności przyrządów wykorzystujących efekty kwantowo-mechaniczne.

Wybrane publikacje

  1. P. Wiśniewski and B. Majkusiak, "Modeling the Current-Voltage Characteristics of Ge₁₋ₓSnₓ Electron-Hole Bilayer TFET With Various Compositions," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 67, no. 7, 2020, doi: 10.1109/TED.2020.2993817
  2. Pavlo Sai, Dmytro But, Ivan Yahniuk, Mikolaj Grabowski, Maciej Sakowicz, Piotr Kruszewski, Pawel Prystawko, Alexander Khachapuridze, Krzesimir Nowakowski-Szkudlarek, Jacek Przybytek, Piotr Wiśniewski, Bartłomiej Stonio, Mateusz Słowikowski, Sergey Rumyantsev, Wojciech Knap and Grzegorz Cywinski, “AlGaN/GaN field effect transistor with two lateral Schottky barrier gates towards resonant detection in sub-mm range”, Semiconductor Science and Technology, 34 (2019) 024002. doi: 10.1088/1361-6641/aaf4a7.
  3. P. Sai, D. B. But, K. Nowakowski-Szkudlarek, J. Przybytek, P. Prystawko, I. Yahniuk, P. Wiśniewski, B. Stonio, M. Słowikowski, S. L. Rumyantsev, W. Knap, G. Cywiński, "A1GaN/GaN Field Effect Transistors Based on Lateral Schottky Barrier Gates as Millimeter Wave Detectors" 2018 43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Nagoya, 2018, pp. 1-2. doi: 10.1109/IRMMW-THz.2018.8510420
  4. G. Cywinski, P. Sai, I. Yahniuk, P. Kruszewski, B. Grzywacz, J. Przybytek, P. Prystawko, A. Khachapuridze, K. Nowakowski-Szkudlarek, W. Knap, P. Wiśniewski, B. Stonio, G. Simin, S. Rumyantsev, "Towards resonant THz detector: Devices based on Schottky diodes to 2DEG GaN/AlGaN" 2018 22nd International Microwave and Radar Conference (MIKON), Poznan, 2018, pp. 715-718. doi: 10.23919/MIKON.2018.8405335
  5. P. Wisniewski, B. Majkusiak, “Modeling the Tunnel Field-Effect Transistor Based on Different Tunneling Path Approaches” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 65, no. 6, 2018, doi: 10.1109/TED.2018.2821059.

Obszary badań

  • modelowanie przyrządów półprzewodnikowych MOSFET, TFET
  • technologia przyrządów MOS
  • charakteryzacja elektryczna struktur półprzewodnikowych
Skip to content